STMicroelectronics SCT019 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 90 A 486 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 719-469
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT019W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT019 | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 486W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10 to 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT019 | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 486W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10 to 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 15.9 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz