International Rectifier IRLML2502 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 162-3274
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2502TRPBF
- Marke:
- International Rectifier
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.315.00
Auf Lager
- Zusätzlich 75’000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.105 | CHF.311.85 |
| 6000 - 6000 | CHF.0.095 | CHF.296.10 |
| 9000 + | CHF.0.095 | CHF.277.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 162-3274
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2502TRPBF
- Marke:
- International Rectifier
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | International Rectifier | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | IRLML2502 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke International Rectifier | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie IRLML2502 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
Einfacher N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 20 V mit Micro-3-Bauform
SOT-23-Bauform mit Industriestandard-PinbelegungKompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken, halogenfreiHerstellerübergreifende KompatibilitätEinfacher in der HerstellungUmweltfreundlicherErhöhte Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- International Rectifier IRLML2502 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- International Rectifier AUIRFL024N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 2,8 A 1 W, 3-Pin SOT-223
- International Rectifier AUIRLL014N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 2 A 1 W, 3-Pin SOT-223
- International Rectifier MOSFET-Gate-Ansteuerung 2 A 60V 6-Pin PDIP
- onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
