Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS443DN-T1-GE3
- RS Best.-Nr.:
- 180-7730P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS443DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF.1.722 |
| 125 - 245 | CHF.1.334 |
| 250 - 495 | CHF.1.113 |
| 500 + | CHF.0.861 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7730P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS443DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0117Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.61mm | |
| Breite | 3.61 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.79mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0117Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.61mm | ||
Breite 3.61 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.79mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 11,7 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 35 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Adapterschalter
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• Mobiles Computing
• Notebook-Computer
• Strommanagement
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft