Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 228-2847
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB24N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.066 | CHF.6.13 |
| 20 - 48 | CHF.2.772 | CHF.5.53 |
| 50 - 98 | CHF.2.604 | CHF.5.21 |
| 100 - 198 | CHF.2.457 | CHF.4.90 |
| 200 + | CHF.2.268 | CHF.4.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2847
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB24N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 184mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 184mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
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