Wolfspeed Typ N-Kanal, Fahrgestell MOSFET 1200 V Erweiterung / 10.7 A 469 W
- RS Best.-Nr.:
- 248-8940
- Herst. Teile-Nr.:
- CAB011M12FM3
- Marke:
- Wolfspeed
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 18 + | CHF.173.702 | CHF.3’126.55 |
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- RS Best.-Nr.:
- 248-8940
- Herst. Teile-Nr.:
- CAB011M12FM3
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Montageart | Fahrgestell | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 469W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Montageart Fahrgestell | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 469W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Wolfspeed 1200 V, 11 mΩ Voll-Siliziumkarbid-Halbbrückenmodul. Wolfspeeds WolfPACK™ SiC-basierten Leistungsmodule sind einfach und darauf ausgelegt, saubere, zuverlässige Energie für Energieumwandlungssysteme zu liefern. Diese Module bieten unglaublich geringe Verluste in einem Gehäuse, das sich hervorragend für die Automatisierung und die Herstellung in großem Maßstab eignet. Diese Wolfspeed WolfPACK-Module sind in SiC-MOSFET-Halbbrücken- und SiC-MOSFET-Six-Pack-Konfigurationen mit einer Vielzahl von mΩ-Optionen erhältlich. Die Geräte zeichnen sich durch eine kompakte Grundfläche aus und können für den Entwurf eines schlanken Systems mit höherer Leistungsdichte verwendet werden. Sie können Systementwicklern eine kompaktere Lösung bieten, als dies mit mehreren diskreten Geräten oder größeren Modulen mit hoher Kapazität möglich ist.
Ultra-niedriger Verlust
Hochfrequenzbetrieb
Null-Abschalt-Schwanzstrom vom MOSFET
Normal-Aus, ausfallsicherer Gerätebetrieb
