Teile-Nr.

Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 50 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 772-5236P
Herst. Teile-Nr.:: 2SJ541-E
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 50 W, 3-Pin TO-220AB

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Beutel)*

CHF.33.35

Bestandsabfrage aktuell nicht möglich

Stück	Pro Stück
25 - 45	CHF.1.334
50 - 245	CHF.1.292
250 - 495	CHF.1.271
500 +	CHF.1.239

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 772-5236P
Herst. Teile-Nr.:: 2SJ541-E
Marke:: Renesas Electronics

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	60 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	TO-220AB
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	155 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2V
	Verlustleistung max.	50 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Breite	4.44mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Länge	11.5mm
	Höhe	15mm

	Alle auswählen
	Marke Renesas Electronics
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 60 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße TO-220AB
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 155 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2V
	Verlustleistung max. 50 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Breite 4.44mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Länge 11.5mm
	Höhe 15mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)

MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 50 W, 3-Pin TO-220AB

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)

Verwandte Links