Teile-Nr.

Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 240 A 125 W, 3-Pin SC-65

RS Best.-Nr.:: 772-5355P
Herst. Teile-Nr.:: 2SK2586-E
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 240 A 125 W, 3-Pin SC-65

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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20 - 99	CHF.3.00
100 - 249	CHF.2.94
250 - 499	CHF.2.88
500 +	CHF.2.83

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RS Best.-Nr.:: 772-5355P
Herst. Teile-Nr.:: 2SK2586-E
Marke:: Renesas Electronics

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	240 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	SC-65
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	16 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2V
	Verlustleistung max.	125 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Länge	15.6mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	4.8mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Höhe	19.9mm

	Alle auswählen
	Marke Renesas Electronics
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 240 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße SC-65
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2V
	Verlustleistung max. 125 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Länge 15.6mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 4.8mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Höhe 19.9mm

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