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    MOSFET

    MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

    Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

    Wie funktionieren MOSFETs?

    Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

    Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

    MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

    N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

    N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp, N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

    P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

    Warum RS

    Wir bieten Ihnen eine breite Palette hochwertiger und preisgünstiger Produkte unter anderem von führenden Herstellern wie DiodesZetex, Infineon, Nexperia und onsemi u.v.m. an

    18734 Produkte angezeigt für MOSFET

    Stück (In einer VPE à 25)
    CHF.0.347
    Nexperia
    N
    7,2 A
    30 V
    38 mΩ
    TO-236
    PMV20XNE
    0.9V
    SMD
    0.4V
    3
    12 V
    Enhancement
    6,94 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    12,4 nC bei 4,5 V
    3mm
    -
    • RS Best.-Nr. 725-9322
    • Herst. Teile-Nr. IRLB8721PBF
    Stück (In einer VPE à 5)
    CHF.1.019
    Infineon
    N
    62 A
    30 V
    9 mΩ
    TO-220AB
    HEXFET
    2.35V
    THT
    1.35V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    65 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    4.83mm
    7,6 nC @ 4,5 V
    10.67mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 787-9020
    • Herst. Teile-Nr. SI4532CDY-T1-GE3
    Stück (In einer VPE à 20)
    CHF.0.599
    Vishay
    N, P
    4,3 A, 6 A
    30 V
    65 mΩ, 140 mΩ
    SOIC
    -
    -
    SMD
    1V
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    2,78 W
    -
    Isoliert
    2
    +150 °C
    4mm
    6 nC bei 10 V, 7,8 nC bei 10 V
    5mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 829-3244
    • Herst. Teile-Nr. DN2540N5-G
    Stück (In einer VPE à 5)
    CHF.1.817
    Microchip
    N
    500 mA
    400 V
    25 Ω
    TO-220
    -
    3.5V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Depletion
    15 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.826mm
    -
    10.7mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 922-7825
    • Herst. Teile-Nr. BS250FTA
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
    CHF.0.315
    DiodesZetex
    P
    90 mA
    45 V
    14 Ω
    SOT-23
    -
    3.5V
    SMD
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    330 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    -
    3.05mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 541-1219
    • Herst. Teile-Nr. IRL540NPBF
    Stück
    CHF.1.313
    Infineon
    N
    36 A
    100 V
    44 mΩ
    TO-220AB
    HEXFET
    2V
    THT
    1V
    3
    –16 V, +16 V
    Enhancement
    140 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    4.69mm
    74 nC @ 5 V
    10.54mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 222-4915
    • Herst. Teile-Nr. IPL60R185P7AUMA1
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
    CHF.0.924
    Infineon
    N
    19 A
    600 V
    185 mΩ
    ThinPAK 8 x 8
    CoolMOS™ P7
    4V
    SMD
    -
    5
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    Si
    • RS Best.-Nr. 816-0576
    • Herst. Teile-Nr. NX3008NBK,215
    Stück (In einer VPE à 150)
    CHF.0.084
    Nexperia
    N
    400 mA
    30 V
    2,8 Ω
    SOT-23
    -
    1.1V
    SMD
    0.6V
    3
    –8 V, +8 V
    Enhancement
    1,14 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    0,52 nC @ 4,5 V
    3mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 671-1046
    • Herst. Teile-Nr. FQN1N60CTA
    Stück (In einer VPE à 10)
    CHF.0.494
    onsemi
    N
    300 mA
    600 V
    11,5 Ω
    TO-92
    QFET
    -
    THT
    2V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    1 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.19mm
    4,8 nC @ 10 V
    5.2mm
    Si
    1 Packung mit 5 Stück
    CHF.12.884
    STMicroelectronics
    N
    10 A
    480 V
    0,38 Ω
    DPAK (TO-252)
    STD
    25V
    SMD
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    • RS Best.-Nr. 180-7351
    • Herst. Teile-Nr. SIP32409DNP-T1-GE4
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
    CHF.0.20
    Vishay
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • RS Best.-Nr. 725-9347
    • Herst. Teile-Nr. IRLML0040TRPBF
    Stück (In einer VPE à 20)
    CHF.0.326
    Infineon
    N
    3,6 A
    40 V
    56 mΩ
    SOT-23
    HEXFET
    2.5V
    SMD
    1V
    3
    –16 V, +16 V
    Enhancement
    1,3 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    2,6 nC @ 4,5 V
    3.04mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 215-2555
    • Herst. Teile-Nr. IPT60R050G7XTMA1
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
    CHF.4.494
    Infineon
    N
    44 A
    600 V
    0,05 Ω
    HSOF-8
    CoolMOS™ P7
    4V
    SMD
    -
    8
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    Si
    • RS Best.-Nr. 168-4794
    • Herst. Teile-Nr. MMIX1T550N055T2
    Stück (In einer Stange von 20)
    CHF.41.538
    IXYS
    N
    550 A
    55 V
    1,3 mΩ
    SMPD
    GigaMOS, HiperFET
    3.8V
    SMD
    -
    24
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    830 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    23.25mm
    595 nC @ 10 V
    25.25mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 257-9312
    • Herst. Teile-Nr. IRF7470TRPBF
    Stück (In einer VPE à 5)
    CHF.0.42
    Infineon
    N
    10 A
    40 V
    -
    SO-8
    HEXFET
    -
    THT
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • RS Best.-Nr. 754-5412P
    • Herst. Teile-Nr. IPB017N06N3GATMA1
    Stück (auf Rolle)
    CHF.3.066
    Infineon
    N
    180 A
    60 V
    1,7 mΩ
    D2PAK-7
    OptiMOS™ 3
    4V
    SMD
    2V
    7
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    250 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    9.45mm
    206 nC @ 10 V
    10.31mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 217-2524
    • Herst. Teile-Nr. IPD60R360P7SAUMA1
    Stück (In einer VPE à 20)
    CHF.0.819
    Infineon
    N
    9 A
    600 V
    360 mO
    DPAK (TO-252)
    -
    4V
    SMD
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    • RS Best.-Nr. 671-4736
    • Herst. Teile-Nr. BS170
    Stück (In einer VPE à 10)
    CHF.0.231
    onsemi
    N
    500 mA
    60 V
    5 Ω
    TO-92
    -
    3V
    THT
    0.8V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    830 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.19mm
    -
    5.2mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 166-2448
    • Herst. Teile-Nr. FDS8984
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
    CHF.0.252
    onsemi
    N
    7 A
    30 V
    23 mΩ
    SOIC
    -
    -
    SMD
    1.2V
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,6 W
    -
    Isoliert
    2
    +150 °C
    4mm
    9,2 nC @ 10 V
    5mm
    Si
    • RS Best.-Nr. 540-9812
    • Herst. Teile-Nr. IRF3710PBF
    Stück
    CHF.1.554
    Infineon
    N
    57 A
    100 V
    23 mΩ
    TO-220AB
    HEXFET
    4V
    THT
    2V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    200 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    4.69mm
    130 nC @ 10 V
    10.54mm
    Si
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